芯片晶圆贴膜全工艺释义（封测前段 BG / 划片 / DAF 体系）

先区分两类膜：临时工艺膜（UV / 蓝膜 / 背磨保护膜，做完工序撕掉）；功能粘接膜（DAF，永久留在芯片上）

1. 划片前贴膜（Dicing Mount）

• 贴位置：减薄后晶圆背面，贴 UV 膜 / 蓝膜，固定在晶环 Frame
• 目的：薄晶圆支撑、切割时固定晶粒，防止飞片、崩边；切割后晶粒保持相对位置，方便扩膜、拾取
• 配套设备：划片贴膜机（Wafer Mounter）
• 适用：机械划片、激光隐形切割（Dicing Before Grinding/DBG 也会用到）

2. 减薄前贴膜（BG 背磨贴膜，Back Grinding Tape）

• 贴位置：晶圆正面（器件面），贴 BG 保护膜（背磨膜）
• 目的：背面研磨减薄时保护正面电路、金属焊盘，防止研磨液、砂粒划伤、污染；减薄完成后撕除
• 重点：BG 膜耐热、耐研磨、低残胶；和划片 UV 膜不是同一种膜材

3. DAF 贴膜（Die Attach Film，芯片固晶膜）

• 贴位置：晶圆背面，减薄后、划片前层压贴合
• 本质：固态胶膜，永久粘接层，不是临时固定膜
• 目的：划片后每颗芯片自带一层 DAF；固晶时直接贴基板 / 芯片堆叠（3D NAND、存储堆叠），替代点银胶，无溢胶、胶厚均匀、超薄
• 工艺：真空层压贴合，划片同步把 DAF 一起切成和晶粒一样大小；Pickup 之后直接固晶加热固化

4. UV 膜贴附（UV Dicing Tape）

• 膜材：UV 解粘型划片膜，透明居多
• 特性：UV 照射前粘性高，牢牢抓住晶粒；365nm 紫外曝光后胶层固化、粘性大幅下降，取片应力小、残胶可控
• 适用：超薄芯片、小晶粒、先进封装、12 寸晶圆；是现在主流方案
• 流程：贴膜→划片→UV 解胶→扩膜→拾取

5. 蓝膜贴附（Blue Tape，普通压敏划片膜）

• 膜材：蓝色 PET 基材压敏胶，无 UV 解粘功能，粘性恒定
• 特点：成本低、延展性好；缺点：取片剥离应力大，超薄芯片容易崩边
• 适用：厚晶圆、功率器件、LED、成熟制程 8 寸及以下晶圆
• 取片依靠扩膜拉伸，靠机械力剥离，不做 UV 照射

6. 保护膜贴附（BG 保护膜 / 表面保护膜）

• 广义包含：BG 背磨保护膜、激光切割保护膜、临时保护膜
• 区分：
  • BG 保护膜：正面保护，减薄用（上面减薄前贴膜）
  • 激光切割表面保护膜：贴晶圆正面，抑制激光烧蚀碎屑、降低崩边，切割后撕掉
• 特点：低粘、易撕、低残胶、耐水耐研磨

7. 预切割（Pre-cut / Half-cut）

两种常见场景：

1. 激光隐形切割：晶圆内部先做改性层（预切割改质），表面不切开，后续扩膜应力让晶圆沿改质层裂开（DBG 工艺）
2. 膜预切：贴膜后只切透胶膜、不切晶圆，方便后续撕膜、分粒；多用于 DAF 复合膜

不是完全切断，是预制断裂引导层，控制裂片路径，减少崩边

8. 环切（Circular Cut / Rim Cut）

• 贴膜机内置环形刀，贴膜完成后，沿着晶环内径，把晶圆外圈多余膜裁断
• 作用：膜边界整齐，避免多余膜褶皱、粘滚轮、干涉划片主轴；区分：环切只切膜，不切硅片
• 几乎所有贴膜机标配工序：覆膜→滚轮压合→环切裁边→收废膜

9. 撕膜去膜（De-taping / Peeling）

• 分两类：
  1. BG 后撕膜：减薄完成，撕掉正面 BG 保护膜
  2. 划片后撕膜：晶粒拾取完成后，把 UV / 蓝膜从晶环上剥离；也有单颗晶粒剥膜（特殊工艺）
• 风险点：静电、残胶、裂片；需要离子风、控温、低速剥离；有专用剥膜机

10. 扩膜前贴膜

行业标准逻辑：先贴膜→划片→UV 解胶→扩膜；“扩膜前贴膜” 一般两种理解：

1. 常规：就是划片前贴膜（UV / 蓝膜），扩膜是贴膜 + 划片之后的工序，很多人口语叫扩膜前贴膜
2. 特殊工艺：二次贴膜（少数工艺：第一次膜做完切割，换一张支撑膜再扩膜，极少用）

• 扩膜（Wafer Expander）：径向拉伸胶膜，拉开晶粒间距，防止固晶吸嘴撞相邻芯片；扩膜本身不贴膜，是拉伸已贴好的膜

主流标准串联流程（BG + 划片 + DAF 路线）

晶圆来料 → 减薄前贴膜（BG 保护膜 / 正面） → 背面研磨减薄 → 撕 BG 膜 → DAF 层压贴膜（可选） → 划片前贴膜（UV / 蓝膜，背面） → 环切裁边 → 划片（机械 / 激光预切割） → UV 解胶（UV 膜） → 扩膜 → 晶粒拾取 → 撕膜去膜

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